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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MHT2025GNR1
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：-
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG9-3281
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MHT2025GNR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT2025GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWT-7F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MED POWER GAAS MESFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：500MHz ~ 26GHz
6增益(dB)6：8dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：85mA
4输出功率(W)4：21dBm
2额定电压(V)2：6V
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3282
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-7F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MWT-3F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： HIGH POWER GAAS MESFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：500MHz ~ 26GHz
6增益(dB)6：11dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：110mA
4输出功率(W)4：22dBm
2额定电压(V)2：6V
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MWT-PH4F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：28GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：84mA
4输出功率(W)4：22dBm
2额定电压(V)2：22dBm
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3284
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-PH4F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MWT-9F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MEDIUM POWER GAAS MESFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：500MHz ~ 18GHz
6增益(dB)6：8.5dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：270mA
4输出功率(W)4：26.5dBm
2额定电压(V)2：6V
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3285
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-9F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-9F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-9F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-9F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MWT-PH7F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：28GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：110mA
4输出功率(W)4：24dBm
2额定电压(V)2：24dBm
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3286
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-PH7F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH7F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MWT-1F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： HIGH GAIN GAAS LIJESFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：100MHz ~ 12GHz
6增益(dB)6：7dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：230mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：6V
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3287
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-1F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MWT-PH9F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：MESFET
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外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3288
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型号： MWT-PH11F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MEDPOWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：MESFET
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外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3289
包装：
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型号： MWT-PH15F
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V
1晶体管类型1：MESFET
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6增益(dB)6：12dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：170mA
4输出功率(W)4：28.5dBm
2额定电压(V)2：6V
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG9-3290
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-PH15F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH15F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH15F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-PH15F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLM9D3437-12AMZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLM9D3437-12AM/LGA7X7/REELDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：-
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG9-3291
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLM9D3437-12AMZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLM9D3437-12AMZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： BLP15H9S10Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
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1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
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7测试电压(V)7：50V
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4输出功率(W)4：10W
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外壳：SOT-1482-1
封装：SOT-1482-1
料号：JTG9-3292
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BLP15H9S10GZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
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外壳：SOT-1483-1
封装：SOT1483-1
料号：JTG9-3293
包装：
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合作现货:0
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型号： BLP15H9S30Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:106V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.5GHz
6增益(dB)6：22dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：1.4µA
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：106V
外壳：SOT-1482-1
封装：SOT-1482-1
料号：JTG9-3294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLP15H9S30Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： BLP15H9S100Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15H9S100/SOT1482/REELDP
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料号：JTG9-3295
包装：
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型号： BLP15M9S100Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V
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外壳：SOT-1482-1
封装：SOT-1482-1
料号：JTG9-3296
包装：
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状态： 在售
型号： BLP15M9S100GZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLP15M9S100G/SOT1483/REELDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
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外壳：SOT-1483-1
封装：SOT1483-1
料号：JTG9-3297
包装：
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型号： BLM10D1822-61ABGZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLM10D1822-61ABG/OMP400/TRAYDP
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1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
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外壳：OMP-400-8G-1
封装：OMP-400-8G-1
料号：JTG9-3298
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLM10D1822-61ABGZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLM10D3438-70ABGZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLM10D3438-70ABG/OMP400/TRAYDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:28.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:108mA *4输出功率(W)*4:48.3dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.8GHz *6增益(dB)*6:31.8dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:65V
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5频率(Hz)5：3.4GHz ~ 3.8GHz
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7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：1.4µA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：65V
外壳：OMP-400-8G-1
封装：OMP-400-8G-1
料号：JTG9-3299
包装：
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合作现货:0
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型号： BLC10G19LS-250WTZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： BLC10G19LS-250WT/SOT1471/TRAYDP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:8dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:85mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:21dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 26GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:84mA 噪声系数:- 电流 - 测试:84mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:22dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:8.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:270mA 噪声系数:- 电流 - 测试:270mA *4输出功率(W)*4:26.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:110mA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:24dBm *2额定电压(V)*2:24dBm 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:7dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:230mA 噪声系数:2dB @ 12GHz 电流 - 测试:230mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:26GHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:220mA 噪声系数:- 电流 - 测试:220mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:9dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:950mA 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:28GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:170mA 噪声系数:- 电流 - 测试:170mA *4输出功率(W)*4:28.5dBm *2额定电压(V)*2:6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:106V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.5GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:28.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:108mA *4输出功率(W)*4:48.3dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.8GHz *6增益(dB)*6:31.8dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.93GHz ~ 1.99GHz *6增益(dB)*6:19.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.4µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.93GHz ~ 1.99GHz
6增益(dB)6：19.3dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：1.4µA
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-1271-2
封装：SOT1271-2
料号：JTG9-3300
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLC10G19LS-250WTZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLC10G19LS-250WTZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLC10G19LS-250WTZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLC10G19LS-250WTZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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