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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： PD85025STR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：17.3dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：7A
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-341
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD85025STR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85025STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85025STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85025STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD55025TR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：14.5dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：7A
4输出功率(W)4：25W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-342
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD55025TR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55025TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55025TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55025TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： AFT20S015GNR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.17GHz
6增益(dB)6：17.6dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1.5W
2额定电压(V)2：65V
外壳：TO-270-2 鸥翼型
封装：TO-270-2 鸥翼型
料号：JTG9-343
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT20S015GNR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT20S015GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT20S015GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT20S015GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MWT-173
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： FET RF 5V 12GHZ PKG 73
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：100MHz ~ 12GHz
6增益(dB)6：10dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：240mA
4输出功率(W)4：300mW
2额定电压(V)2：5V
外壳：非标准型 SMD
封装：73
料号：JTG9-344
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-173' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-173' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-173' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-173' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD57018STR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANSISTOR RF POWERSO-10
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：2.5A
4输出功率(W)4：18W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-345
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD57018STR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57018STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57018STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57018STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD85035STR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：15W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-346
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD85035STR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85035STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85035STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85035STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF1550NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：175MHz
6增益(dB)6：14.5dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：12A
4输出功率(W)4：50W
2额定电压(V)2：40V
外壳：TO-272AA
封装：TO-272-6
料号：JTG9-347
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1550NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1550NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMRF1304NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 133V 512MHZ TO270-2
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：512MHz
6增益(dB)6：25.4dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：25W
2额定电压(V)2：133V
外壳：TO-270AA
封装：TO-270-2
料号：JTG9-348
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1304NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1304NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1304NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MWT-A973
品牌： Microwave Technology Inc. Microwave
描述： FET RF 5V 18GHZ PKG 73
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：MESFET
5频率(Hz)5：500MHz ~ 18GHz
6增益(dB)6：6.5dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：120mA
4输出功率(W)4：24.5dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：非标准型 SMD
封装：73
料号：JTG9-349
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-A973' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-A973' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-A973' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-A973' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMRF1315NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 66V 880MHZ TO270
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：880MHz
6增益(dB)6：21.1dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：14W
2额定电压(V)2：66V
外壳：TO-270-2
封装：TO-270-2
料号：JTG9-350
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMRF1315NR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1315NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1315NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1315NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRFE6VS25GNR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULL
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：512MHz
6增益(dB)6：25.4dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：25W
2额定电压(V)2：133V
外壳：TO-270-2 鸥翼型
封装：TO-270-2 鸥翼型
料号：JTG9-351
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VS25GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRFG35010ANT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：3.55GHz
6增益(dB)6：10dB
7测试电压(V)7：12V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：9W
2额定电压(V)2：15V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-352
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFG35010ANT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFG35010ANT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MRF1570FNT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 470MHZ TO272-8
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：470MHz
6增益(dB)6：11.5dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：70W
2额定电压(V)2：40V
外壳：TO-272-8
封装：TO-272-8 扁平引线
料号：JTG9-353
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1570FNT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1570FNT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1570FNT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1570FNT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： A2I25D025NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： IC TRANS RF LDMOS
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
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2额定电压(V)2：65V
外壳：TO-270-17 变式，扁平引线
封装：TO-270WB-17
料号：JTG9-354
包装：
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合作现货:0
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型号： BLF6G10-45,135
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
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外壳：SOT-608A
封装：CDFM2
料号：JTG9-355
包装：
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合作现货:0
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型号： BLF6G10-45,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V
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4输出功率(W)4：1W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-608A
封装：CDFM2
料号：JTG9-356
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G10-45,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRFE6VP5150GNR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：230MHz
6增益(dB)6：26.1dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：150W
2额定电压(V)2：133V
外壳：TO-270BB
封装：TO-270 WB-4 鸥翼形
料号：JTG9-357
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VP5150GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRFE6VP5150NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：230MHz
6增益(dB)6：26.1dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：150W
2额定电压(V)2：133V
外壳：TO-270AB
封装：TO-270 WB-4
料号：JTG9-358
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFE6VP5150NR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VP5150NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD57045TR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:45W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：14.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：45W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-359
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： LET9060STR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:17.6dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:132mA *4输出功率(W)*4:1.5W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:100MHz ~ 12GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:240mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:240mA *4输出功率(W)*4:300mW *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:18W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 18GHz *6增益(dB)*6:6.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:1.8dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:12V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.69GHz *6增益(dB)*6:31.9dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:59mA *4输出功率(W)*4:3.2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:922.5MHz ~ 957.5MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:1W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:26.1dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:45W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz
6增益(dB)6：17.2dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：12A
4输出功率(W)4：60W
2额定电压(V)2：80V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-360
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LET9060STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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