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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NPT1012B
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：0Hz ~ 4GHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：100V
外壳：-
封装：-
料号：JTG9-461
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NPT1012B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1012B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1012B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1012B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF578XR,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：225MHz
6增益(dB)6：23.5dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1400W
2额定电压(V)2：110V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-462
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF578XR,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF154
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： FET RF 125V 100MHZ 368-03
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：2MHz ~ 100MHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：60A
4输出功率(W)4：600W
2额定电压(V)2：125V
外壳：368-03
封装：368-03，2 型
料号：JTG9-463
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF154' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF154' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF154' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF154' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： BLL6H1214-500,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：1.2GHz ~ 1.4GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：500W
2额定电压(V)2：100V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-464
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLL6H1214-500,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL6H1214-500,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL6H1214-500,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL6H1214-500,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLA6H0912L-1000U
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：1.03GHz
6增益(dB)6：15.5dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1000W
2额定电压(V)2：100V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-465
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLA6H0912L-1000U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H0912L-1000U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H0912L-1000U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H0912L-1000U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-35143-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：80mA
4输出功率(W)4：10dBm
2额定电压(V)2：5.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-466
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-35143-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-511P8-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：14.8dB
7测试电压(V)7：4.5V
3额定电流(A)3：1A
4输出功率(W)4：30dBm
2额定电压(V)2：7V
外壳：8-LPCC
封装：8-LPCC（2X2）
料号：JTG9-467
包装：
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合作现货:0
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型号： ARF449BG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF PWR MOSFET 450V TO-247
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：81.36MHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：150V
3额定电流(A)3：9A
4输出功率(W)4：90W
2额定电压(V)2：450V
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG9-468
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF449BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ARF448BG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF FET N CH 450V 15A TO247
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：40.68MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：150V
3额定电流(A)3：15A
4输出功率(W)4：140W
2额定电压(V)2：450V
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG9-469
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ARF448BG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF448BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF448BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF448BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SD2918
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：30MHz
6增益(dB)6：22dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：6A
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：125V
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG9-470
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD2918' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MRFE6VS25LR5
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 133V 512MHZ NI360L
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V
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外壳：NI-360
封装：NI-360
料号：JTG9-471
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型号： VRF148A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF MOSFET N-CHANNEL 50V M113
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V
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外壳：M113
封装：M113
料号：JTG9-472
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型号： VRF150
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V
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外壳：M174
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料号：JTG9-473
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VRF150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF140
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： FET RF 65V 150MHZ 211-11
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V
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外壳：211-11，2 型
封装：211-11，2 型
料号：JTG9-474
包装：
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合作现货:0
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型号： VRF152
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V
1晶体管类型1：N 通道
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3额定电流(A)3：50µA
4输出功率(W)4：150W
2额定电压(V)2：130V
外壳：M174
封装：M174
料号：JTG9-475
包装：
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型号： BLF881S,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：21dB
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4输出功率(W)4：140W
2额定电压(V)2：104V
外壳：SOT467B
封装：LDMOST
料号：JTG9-476
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF881S,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CGHV22100F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440162
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：1.8GHz ~ 2.2GHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：6A
4输出功率(W)4：100W
2额定电压(V)2：125V
外壳：440162
封装：440162
料号：JTG9-477
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SD2943W
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:130V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：30MHz
6增益(dB)6：25dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：40A
4输出功率(W)4：350W
2额定电压(V)2：130V
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG9-478
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD2943W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2943W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2943W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2943W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MRF275G
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:26A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：2 N 沟道（双）共源
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：11.2dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：26A
4输出功率(W)4：150W
2额定电压(V)2：65V
外壳：375-04
封装：375-04，2 型
料号：JTG9-479
包装：
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合作现货:0
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型号： CLF1G0035S-50,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:225mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1400W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:2MHz ~ 100MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:90W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:40.68MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:450V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:512MHz *6增益(dB)*6:25.9dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:133V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:150MHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1mA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 150MHz *6增益(dB)*6:6dB ~ 15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:50µA 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:26A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:50W *2额定电压(V)*2:150V
1晶体管类型1：GaN HEMT
5频率(Hz)5：3GHz
6增益(dB)6：11.5dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：50W
2额定电压(V)2：150V
外壳：SOT467B
封装：SOT467B
料号：JTG9-480
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CLF1G0035S-50,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035S-50,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035S-50,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035S-50,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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