元器件型号:3308
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*电压 - 测试

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*电压 - 额定

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清除筛选 应用筛选 筛选结果: 3308
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: CGHV1J006D
品牌: Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述: CREE RF
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2:
1晶体管类型1:
5频率(Hz)5:
6增益(dB)6:
7测试电压(V)7:
3额定电流(A)3:
4输出功率(W)4:
2额定电压(V)2:
外壳:
封装:
料号:JTG9-501
包装: *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV1J006D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ARF463AP1G
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:81.36MHz
6增益(dB)6:15dB
7测试电压(V)7:125V
3额定电流(A)3:9A
4输出功率(W)4:100W
2额定电压(V)2:500V
外壳:TO-247-3
封装:TO-247
料号:JTG9-502
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ARF463AP1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AP1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AP1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AP1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: LET9060S
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:960MHz
6增益(dB)6:17.2dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:12A
4输出功率(W)4:60W
2额定电压(V)2:80V
外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
封装:POWERSO-10RF(直引线)
料号:JTG9-503
包装: 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LET9060S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: BLF8G27LS-100GVJ
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:2.5GHz ~ 2.7GHz
6增益(dB)6:17dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:25W
2额定电压(V)2:65V
外壳:SOT-1244C
封装:CDFM6
料号:JTG9-504
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF8G27LS-100GVJ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: CGH55015F1
品牌: Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述: RF MOSFET HEMT 28V 440196
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1:HEMT
5频率(Hz)5:5.5GHz ~ 5.8GHz
6增益(dB)6:11dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:1.5A
4输出功率(W)4:15W
2额定电压(V)2:84V
外壳:440196
封装:440196
料号:JTG9-505
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH55015F1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH55015F1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH55015F1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH55015F1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: CGH27015F
品牌: Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述: RF MOSFET HEMT 28V 440166
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1:HEMT
5频率(Hz)5:3GHz
6增益(dB)6:15dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:15W
2额定电压(V)2:84V
外壳:
封装:
料号:JTG9-506
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH27015F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH27015F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH27015F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH27015F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BLP05H6110XRY
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT1223-2
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:108MHz
6增益(dB)6:27dB
7测试电压(V)7:50V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:110W
2额定电压(V)2:135V
外壳:SOT-1223-2
封装:4-HSOPF
料号:JTG9-507
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLP05H6110XRY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: BLF6G27LS-40P,112
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF MOSFET LDMOS DL 28V LDMOST
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:2.5GHz ~ 2.7GHz
6增益(dB)6:17.5dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:12W
2额定电压(V)2:65V
外壳:SOT-1121B
封装:CDFM4
料号:JTG9-508
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF6G27LS-40P,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G27LS-40P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G27LS-40P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G27LS-40P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BLF8G27LS-100GVQ
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1:LDMOS
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7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:25W
2额定电压(V)2:65V
外壳:SOT-1244C
封装:CDFM6
料号:JTG9-509
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF8G27LS-100GVQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF8G27LS-100GVQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: LET20045C
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: RF MOSFET N CH 80V 12A M243
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:13.3dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:12A
4输出功率(W)4:54W
2额定电压(V)2:80V
外壳:M243
封装:M243
料号:JTG9-510
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LET20045C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET20045C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET20045C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET20045C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: LET9060C
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: MOSFET N-CH 80V 12A M-243
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:945MHz
6增益(dB)6:18dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:12A
4输出功率(W)4:75W
2额定电压(V)2:80V
外壳:M243
封装:M243
料号:JTG9-511
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LET9060C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9060C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: STAC250V2-500E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TRANS RF 500W 250V STAC177B
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V
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外壳:STAC177B
封装:STAC177B
料号:JTG9-512
包装:
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合作现货:0
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型号: CLF1G0060S-30U
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V
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外壳:SOT-1227B
封装:SOT-1227B
料号:JTG9-513
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: STAC1011-350
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V
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2额定电压(V)2:80V
外壳:STAC265B
封装:STAC265B
料号:JTG9-514
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STAC1011-350' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STAC1011-350' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STAC1011-350' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LET9150
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: MOSFET N-CH 80V 20A M-246
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V
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外壳:M246
封装:M246
料号:JTG9-515
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型号: CLF1G0035S-100,112
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V
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外壳:SOT467B
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包装:
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: CLF1G0035S-100PU
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V
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外壳:SOT-1228B
封装:SOT-1228B
料号:JTG9-517
包装:
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合作现货:0
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型号: CLF1G0035-100PU
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V
1晶体管类型1:GaN HEMT
5频率(Hz)5:3GHz
6增益(dB)6:14dB
7测试电压(V)7:50V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:100W
2额定电压(V)2:150V
外壳:SOT-1228A
封装:LDMOST
料号:JTG9-518
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CLF1G0035-100PU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100PU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100PU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100PU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: BLL8H1214LS-250U
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:1.2GHz ~ 1.4GHz
6增益(dB)6:17dB
7测试电压(V)7:50V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:250W
2额定电压(V)2:100V
外壳:SOT-502B
封装:SOT502B
料号:JTG9-519
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLL8H1214LS-250U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL8H1214LS-250U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL8H1214LS-250U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLL8H1214LS-250U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BLA6H1011-600,112
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2: 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:500V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:5.5GHz ~ 5.8GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:115mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:110W *2额定电压(V)*2:135V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:13.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:54W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:75W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:27MHz *6增益(dB)*6:21.5dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:3.5W *2额定电压(V)*2:900V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:72A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:1.03GHz ~ 1.09GHz
6增益(dB)6:17dB
7测试电压(V)7:48V
3额定电流(A)3:72A
4输出功率(W)4:600W
2额定电压(V)2:100V
外壳:SOT539A
封装:SOT539A
料号:JTG9-520
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLA6H1011-600,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H1011-600,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H1011-600,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H1011-600,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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