元器件型号:3308
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: BLS7G2729LS-350P,1
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:2.7GHz ~ 2.9GHz
6增益(dB)6:13dB
7测试电压(V)7:32V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:350W
2额定电压(V)2:65V
外壳:SOT539B
封装:SOT539B
料号:JTG9-521
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLS7G2729LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G2729LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: NPT1007B
品牌: MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述: TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm
1晶体管类型1:HEMT
5频率(Hz)5:900MHz
6增益(dB)6:18.3dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:20.5A
4输出功率(W)4:53dBm
2额定电压(V)2:100V
外壳:-
封装:-
料号:JTG9-522
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NPT1007B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1007B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1007B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NPT1007B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BLS7G3135LS-350P,1
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: FET RF 2CH 65V 3.5GHZ SOT-539B
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:3.5GHz
6增益(dB)6:10dB
7测试电压(V)7:32V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:320W
2额定电压(V)2:65V
外壳:SOT539B
封装:SOT539B
料号:JTG9-523
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLS7G3135LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135LS-350P,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BLA6H0912LS-1000U
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W
1晶体管类型1:LDMOS(双),共源
5频率(Hz)5:1.03GHz
6增益(dB)6:15.5dB
7测试电压(V)7:50V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:1000W
2额定电压(V)2:100V
外壳:SOT539B
封装:SOT539B
料号:JTG9-524
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLA6H0912LS-1000U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H0912LS-1000U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6H0912LS-1000U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: BF908R,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道双门
5频率(Hz)5:200MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:8V
3额定电流(A)3:40mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:12V
外壳:SOT-143R
封装:SOT-143R
料号:JTG9-525
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF908R,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF908R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF908R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF908R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2SK3756(TE12L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: MOSFET N-CH PW-MINI
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:470MHz
6增益(dB)6:12dB
7测试电压(V)7:4.5V
3额定电流(A)3:1A
4输出功率(W)4:32dBm
2额定电压(V)2:7.5V
外壳:TO-243AA
封装:SC-62
料号:JTG9-526
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3756(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3756(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3756(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3756(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AFT05MS003NT1
描述: IC TRANS RF LDMOS
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:520MHz
6增益(dB)6:20.8dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:3W
2额定电压(V)2:30V
外壳:TO-243AA
封装:SOT-89-3
料号:JTG9-527
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT05MS003NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS003NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS003NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS003NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2SK3475TE12LF
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:520MHz
6增益(dB)6:14.9dB
7测试电压(V)7:7.2V
3额定电流(A)3:1A
4输出功率(W)4:630mW
2额定电压(V)2:20V
外壳:TO-243AA
封装:SC-62
料号:JTG9-528
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3475TE12LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3475TE12LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3475TE12LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3475TE12LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: NE3503M04-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 4V 12GHZ M04
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:12GHz
6增益(dB)6:12dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:70mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:4V
外壳:SOT-343F
封装:M04
料号:JTG9-529
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3503M04-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ATF-58143-BLKG
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:16.5dB
7测试电压(V)7:3V
3额定电流(A)3:100mA
4输出功率(W)4:19dBm
2额定电压(V)2:5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-530
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-58143-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2SK3079ATE12LQ
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: MOSF RF N CH 10V PW-X
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:470MHz
6增益(dB)6:13.5dB
7测试电压(V)7:4.5V
3额定电流(A)3:3A
4输出功率(W)4:33.5dBmW
2额定电压(V)2:10V
外壳:TO-271AA
封装:PW-X
料号:JTG9-531
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: RFM01U7P(TE12L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: MOSFET N-CH PW-MINI
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:520MHz
6增益(dB)6:10.8dB
7测试电压(V)7:7.2V
3额定电流(A)3:1A
4输出功率(W)4:1.2W
2额定电压(V)2:20V
外壳:TO-243AA
封装:PW-MINI
料号:JTG9-532
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM01U7P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM01U7P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM01U7P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: NE5550234-T1-AZ
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:900MHz
6增益(dB)6:23.5dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:600mA
4输出功率(W)4:32.2dB
2额定电压(V)2:30V
外壳:TO-243AA
封装:3-POWERMINIMOLD
料号:JTG9-533
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE5550234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2SK4037(TE12L,Q)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: MOSFET N-CH PW-X
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:470MHz
6增益(dB)6:11.5dB
7测试电压(V)7:6V
3额定电流(A)3:3A
4输出功率(W)4:36.5dBmW
2额定电压(V)2:12V
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG9-534
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK4037(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TPH3202PD
品牌: Transphorm
描述: 600 V 9 A CASCODE GAN FET
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:FET
5频率(Hz)5:1MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:480V
3额定电流(A)3:9A
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:600V
外壳:*
封装:*
料号:JTG9-535
包装: *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3202PD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TPH3202PS
品牌: Transphorm
描述: RF FET 600V 9A TO220
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:FET
5频率(Hz)5:1MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:480V
3额定电流(A)3:9A
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:600V
外壳:*
封装:*
料号:JTG9-536
包装: *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3202PS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PD84010S-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:2W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:870MHz
6增益(dB)6:16.3dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:8A
4输出功率(W)4:2W
2额定电压(V)2:40V
外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装:POWERSO-10RF(直引线)
料号:JTG9-537
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84010S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84010S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: PD84008-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 25V 870MHZ
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:2W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:870MHz
6增益(dB)6:16.2dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:7A
4输出功率(W)4:2W
2额定电压(V)2:25V
外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
封装:POWERSO-10RF(成形引线)
料号:JTG9-538
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD84008-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PD85025-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 40V 870MHZ
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:2W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:870MHz
6增益(dB)6:17.3dB
7测试电压(V)7:13.6V
3额定电流(A)3:7A
4输出功率(W)4:10W
2额定电压(V)2:40V
外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
封装:POWERSO-10RF(成形引线)
料号:JTG9-539
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PD57030S-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
参数: 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 2.9GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:20.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:53dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS(双),共源 *5频率(Hz)*5:1.03GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1000W 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:32dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.8dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.9dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:630mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:33.5dBmW 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:1.2W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:32.2dB 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:470MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:36.5dBmW 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:2W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.3dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:10W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:945MHz
6增益(dB)6:14dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:4A
4输出功率(W)4:30W
2额定电压(V)2:65V
外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装:POWERSO-10RF(直引线)
料号:JTG9-540
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD57030S-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57030S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57030S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57030S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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