元器件型号:3308
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: BF1108R,235
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: IC RF SWITCH SOT143R
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:-
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:-
3额定电流(A)3:10mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:3V
外壳:SOT-143R
封装:SOT-143R
料号:JTG9-621
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF1108R,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号: SMMBFJ310LT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道 JFET
5频率(Hz)5:-
6增益(dB)6:12dB
7测试电压(V)7:10V
3额定电流(A)3:60mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:25V
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG9-622
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMMBFJ310LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBFJ310LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBFJ310LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBFJ310LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BF1108R,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: IC RF SWITCH SOT-143R
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道
5频率(Hz)5:-
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:-
3额定电流(A)3:10mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:3V
外壳:SOT-143R
封装:SOT-143R
料号:JTG9-623
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF1108R,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BF512,235
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: JFET N-CH 20V 30MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道 JFET
5频率(Hz)5:100MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:10V
3额定电流(A)3:30mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:20V
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:JTG9-624
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF512,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BF513,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道 JFET
5频率(Hz)5:100MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:10V
3额定电流(A)3:30mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:20V
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:JTG9-625
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF513,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF513,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF513,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF513,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ATF-36163-TR2G
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 3V 4GHZ SOT-363
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:4GHz
6增益(dB)6:15.8dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:40mA
4输出功率(W)4:5dBm
2额定电压(V)2:3V
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG9-626
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-36163-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-36163-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-36163-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-36163-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ATF-38143-TR2G
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 4.5V 2GHZ SOT343
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:16dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:145mA
4输出功率(W)4:12dBm
2额定电压(V)2:4.5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-627
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-38143-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: ATF-36163-BLKG
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 3V 4GHZ SOT-363
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG9-628
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品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 3V 4GHZ SOT-363
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm
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2额定电压(V)2:3V
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG9-629
包装:
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型号: ATF-38143-BLKG
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 4.5V 2GHZ SOT343
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm
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5频率(Hz)5:2GHz
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7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:145mA
4输出功率(W)4:12dBm
2额定电压(V)2:4.5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-630
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ATF-551M4-TR2
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:17.5dB
7测试电压(V)7:2.7V
3额定电流(A)3:100mA
4输出功率(W)4:14.6dBm
2额定电压(V)2:5V
外壳:0505(1412 公制)
封装:MINIPAK 1412
料号:JTG9-631
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-551M4-TR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-551M4-TR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ATF-55143-TR2G
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm
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2额定电压(V)2:5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-632
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: ATF-35143-TR2G
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
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7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:80mA
4输出功率(W)4:10dBm
2额定电压(V)2:5.5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-633
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-35143-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ATF-551M4-TR1
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: IC TRANS E-PHEMT GAAS MINIPAK
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:17.5dB
7测试电压(V)7:2.7V
3额定电流(A)3:100mA
4输出功率(W)4:14.6dBm
2额定电压(V)2:5V
外壳:0505(1412 公制)
封装:MINIPAK 1412
料号:JTG9-634
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-551M4-TR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-551M4-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-551M4-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-551M4-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ATF-551M4-BLK
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:17.5dB
7测试电压(V)7:2.7V
3额定电流(A)3:100mA
4输出功率(W)4:14.6dBm
2额定电压(V)2:5V
外壳:0505(1412 公制)
封装:MINIPAK 1412
料号:JTG9-635
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: NE3512S02-T1C-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: HJ-FET NCH 13.5DB S02
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:12GHz
6增益(dB)6:13.5dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:70mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:4V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:S02
料号:JTG9-636
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3512S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: NE3508M04-T2-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:18dBm
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:14dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:120mA
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2额定电压(V)2:4V
外壳:SOT-343F
封装:F4TSMM,M04
料号:JTG9-637
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3508M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: NE3513M04-T2-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:18dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 沟道 GaAs HJ-FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW
1晶体管类型1:N 沟道 GaAs HJ-FET
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2额定电压(V)2:4V
外壳:SOT-343F
封装:M04
料号:JTG9-638
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3513M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: NE3521M04-T2-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:18dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 沟道 GaAs HJ-FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 沟道 GaAs HJ-FET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.85dB 电流 - 测试:6mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 沟道 GaAs HJ-FET
5频率(Hz)5:20GHz
6增益(dB)6:11dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:70mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:4V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:*
料号:JTG9-639
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3521M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3521M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3521M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3521M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 4V 12GHZ M04
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:15.8dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:5dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:18dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 沟道 GaAs HJ-FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 沟道 GaAs HJ-FET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.85dB 电流 - 测试:6mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:12GHz
6增益(dB)6:12dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:70mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:4V
外壳:SOT-343F
封装:M04
料号:JTG9-640
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3503M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3503M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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