元器件型号:3308
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: ATF-50189-TR1
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 7V 2GHZ SOT-89
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm
1晶体管类型1:E-pHEMT
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:15.5dB
7测试电压(V)7:4.5V
3额定电流(A)3:1A
4输出功率(W)4:29dBm
2额定电压(V)2:7V
外壳:TO-243AA
封装:SOT-89
料号:JTG9-681
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-50189-TR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-50189-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-50189-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-50189-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ATF-34143-BLKG
品牌: Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述: FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:2GHz
6增益(dB)6:17.5dB
7测试电压(V)7:4V
3额定电流(A)3:145mA
4输出功率(W)4:20dBm
2额定电压(V)2:5.5V
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:SOT-343
料号:JTG9-682
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-34143-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMRF1021NT1
描述: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:870MHz
6增益(dB)6:15.2dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:7.3W
2额定电压(V)2:30V
外壳:PLD-1.5W-2
封装:PLD-1.5W-2
料号:JTG9-683
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMRF1021NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1021NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1021NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1021NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: NE3515S02-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:12GHz
6增益(dB)6:12.5dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:88mA
4输出功率(W)4:14dBm
2额定电压(V)2:4V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:S02
料号:JTG9-684
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3515S02-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N4340
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: JFET N-CH 50V TO18
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:N 通道 JFET
5频率(Hz)5:1kHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:15V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:50V
外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
封装:TO-18
料号:JTG9-685
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4340' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: NE3520S03-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 4V 20GHZ S03
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:HFET
5频率(Hz)5:20GHz
6增益(dB)6:13.5dB
7测试电压(V)7:2V
3额定电流(A)3:70mA
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:4V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:S03
料号:JTG9-686
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3520S03-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3520S03-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3520S03-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3520S03-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: NE5550779A-T1-A
品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:900MHz
6增益(dB)6:22dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:2.1A
4输出功率(W)4:38.5dBm
2额定电压(V)2:30V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:79A
料号:JTG9-687
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE5550779A-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 30V 900MHZ 79A
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品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
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品牌: CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述: FET RF 30V 460MHZ 79A
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:460MHz
6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:3A
4输出功率(W)4:40dBm
2额定电压(V)2:30V
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:79A
料号:JTG9-692
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE5531079A-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5531079A-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BLP7G22-05Z
品牌: Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:2.14GHz
6增益(dB)6:16dB
7测试电压(V)7:28V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:1W
2额定电压(V)2:65V
外壳:12-VDFN 裸露焊盘
封装:12-HVSON(5X6)
料号:JTG9-693
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLP7G22-05Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLP7G22-05Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLP7G22-05Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLP7G22-05Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MWT-1789SB
品牌: Microwave Technology Inc. Microwave
描述: FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm
1晶体管类型1:MESFET
5频率(Hz)5:500MHz ~ 4GHz
6增益(dB)6:18dB
7测试电压(V)7:6.5V
3额定电流(A)3:440mA
4输出功率(W)4:28dbm
2额定电压(V)2:6.5V
外壳:TO-243AA
封装:SOT-89
料号:JTG9-694
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MWT-1789SB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microwave Technology Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1789SB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1789SB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MWT-1789SB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: TPH3202LS
品牌: Transphorm
描述: 600 V 9 A CASCODE GAN FET
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1:FET
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6增益(dB)6:-
7测试电压(V)7:*
3额定电流(A)3:9A
4输出功率(W)4:-
2额定电压(V)2:600V
外壳:*
封装:*
料号:JTG9-695
包装: *
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PD54003-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:500MHz
6增益(dB)6:12dB
7测试电压(V)7:7.5V
3额定电流(A)3:4A
4输出功率(W)4:3W
2额定电压(V)2:25V
外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装:10-POWERSO
料号:JTG9-696
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54003-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MRFG35003N6AT1
描述: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:180mA *4输出功率(W)*4:450mW
1晶体管类型1:pHEMT FET
5频率(Hz)5:3.55GHz
6增益(dB)6:10dB
7测试电压(V)7:6V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:450mW
2额定电压(V)2:8V
外壳:PLD-1.5
封装:PLD-1.5
料号:JTG9-697
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFG35003N6AT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFG35003N6AT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFG35003N6AT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFG35003N6AT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: PD55003TR-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:180mA *4输出功率(W)*4:450mW 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:500MHz
6增益(dB)6:17dB
7测试电压(V)7:12.5V
3额定电流(A)3:2.5A
4输出功率(W)4:3W
2额定电压(V)2:40V
外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装:10-POWERSO
料号:JTG9-698
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PD55003S-E
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:180mA *4输出功率(W)*4:450mW 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:500MHz
6增益(dB)6:17dB
7测试电压(V)7:12.5V
3额定电流(A)3:2.5A
4输出功率(W)4:3W
2额定电压(V)2:40V
外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装:POWERSO-10RF(直引线)
料号:JTG9-699
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD55003S-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55003S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55003S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55003S-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AFT05MS031GNR1
描述: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
参数: 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1dB *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:20GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:33dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:350mA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:38.6dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:460MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:40dBm 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA *4输出功率(W)*4:1W 系列:- 制造商:Microwave Technology Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Microwave Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET *5频率(Hz)*5:500MHz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:6.5V *3额定电流(A)*3:440mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:440mA *4输出功率(W)*4:28dbm 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:3.55GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:180mA *4输出功率(W)*4:450mW 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:31W
1晶体管类型1:LDMOS
5频率(Hz)5:520MHz
6增益(dB)6:17.7dB
7测试电压(V)7:13.6V
3额定电流(A)3:-
4输出功率(W)4:31W
2额定电压(V)2:40V
外壳:TO-270-2 鸥翼型
封装:TO-270-2 鸥翼型
料号:JTG9-700
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT05MS031GNR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS031GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS031GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS031GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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