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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MRF6VP11KHR5
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：130MHz
6增益(dB)6：26dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1000W
2额定电压(V)2：110V
外壳：NI-1230
封装：NI-1230
料号：JTG9-61
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF6VP11KHR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6VP11KHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6VP11KHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6VP11KHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLS6G2731-120,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.7GHz ~ 3.1GHz
6增益(dB)6：13.5dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：33A
4输出功率(W)4：120W
2额定电压(V)2：60V
外壳：SOT-502A
封装：LDMOST
料号：JTG9-62
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLS6G2731-120,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2731-120,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2731-120,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2731-120,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： CGH40120F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V 440193
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：0Hz ~ 4GHz
6增益(dB)6：19dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：28A
4输出功率(W)4：120W
2额定电压(V)2：84V
外壳：440193
封装：440193
料号：JTG9-63
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH40120F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40120F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： BLF578,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：225MHz
6增益(dB)6：24dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：88A
4输出功率(W)4：1200W
2额定电压(V)2：110V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-64
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF578,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF578,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGH40090PP
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V 440199
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：0Hz ~ 4GHz
6增益(dB)6：12.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：28A
4输出功率(W)4：100W
2额定电压(V)2：84V
外壳：440199
封装：440199
料号：JTG9-65
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH40090PP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40090PP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40090PP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40090PP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGHV14250F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440162
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：1.2GHz ~ 1.4GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：42mA
4输出功率(W)4：330W
2额定电压(V)2：125V
外壳：440162
封装：440162
料号：JTG9-66
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV14250F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14250F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14250F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14250F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CGH40180PP
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V 440199
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：0Hz ~ 2.5GHz
6增益(dB)6：19dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：56A
4输出功率(W)4：220W
2额定电压(V)2：84V
外壳：440199
封装：440199
料号：JTG9-67
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH40180PP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40180PP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF157
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：80MHz
6增益(dB)6：21dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：60A
4输出功率(W)4：600W
2额定电压(V)2：125V
外壳：368-03
封装：368-03，2 型
料号：JTG9-68
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF157' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF157' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF157' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF157' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGHV14500F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440117
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：1.2GHz ~ 1.4GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：36A
4输出功率(W)4：500W
2额定电压(V)2：125V
外壳：440117
封装：440117
料号：JTG9-69
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV14500F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14500F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14500F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV14500F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBF5484
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：400MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：15V
3额定电流(A)3：5mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG9-70
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF5484' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5484' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5484' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF5484' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBFJ310
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
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6增益(dB)6：12dB
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2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG9-71
包装：
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合作现货:0
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型号： 3SK293(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： FET RF 12.5V 800MHZ USQ
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V
1晶体管类型1：N 通道双门
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外壳：SC-82A，SOT-343
封装：USQ
料号：JTG9-72
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK293(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2SK209-GR(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET N-CH SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：1kHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG9-73
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK209-GR(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-GR(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-GR(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-GR(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBFJ309LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
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料号：JTG9-74
包装：
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型号： MMBFJ310LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG9-75
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ310LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BF545C,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 30V 25MA SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：25mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-76
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF545C,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF545C,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF545A,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：6.5mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-77
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF545A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BF545B,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 30V 15MA SOT23
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-78
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF545B,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF545B,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BF861C,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF MOSFET N-CH JFET TO236AB
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：25mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-79
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF861C,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861C,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861C,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861C,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF992,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
参数： 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:130MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:1000W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:33A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:120W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *4输出功率(W)*4:1200W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 4GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:28A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42mA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:330W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:56A 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:220W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:80MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:60A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:36A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:500W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:5mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4dB *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:450MHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:200MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.2dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道双门
5频率(Hz)5：200MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：40mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143B
料号：JTG9-80
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF992,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF992,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF992,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF992,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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