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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BF861B,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 15MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-81
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF861B,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BF861B,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 15MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-82
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF861B,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861B,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BF1108,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： IC RF SWITCH SOT143B
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：10mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：3V
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143B
料号：JTG9-83
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF1108,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1108,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF256B
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 30V 13MA TO92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：13mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-84
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF256B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF256B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF256B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF256B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-38143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：145mA
4输出功率(W)4：12dBm
2额定电压(V)2：4.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343，SC70 4 引线
料号：JTG9-85
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-38143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-38143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2N3819 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG9-86
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3819 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3819 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3819 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3819 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5486
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 25V 30MA TO92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：400MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：15V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG9-87
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5486' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ATF-33143-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：305mA
4输出功率(W)4：22dBm
2额定电压(V)2：5.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-88
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-33143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-54143-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16.6dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：120mA
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2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-89
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-54143-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MRF1513NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：2A
4输出功率(W)4：3W
2额定电压(V)2：40V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-90
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1513NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1513NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1513NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： PD54003L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：3W
2额定电压(V)2：25V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-91
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD54003L-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54003L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54003L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54003L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD55003L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：19dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：2.5A
4输出功率(W)4：3W
2额定电压(V)2：40V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-92
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55003L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF1517NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：14dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：25V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-93
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1517NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1517NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1517NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1517NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF1511NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：175MHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：40V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-94
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1511NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1511NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1511NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1511NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ATF-501P8-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ 8LPCC
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V
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外壳：8-LPCC
封装：8-LPCC（2X2）
料号：JTG9-95
包装：
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合作现货:0
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型号： ATF-50189-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ SOT-89
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:29dBm
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG9-96
包装：
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合作现货:0
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型号： AFT05MS031NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:29dBm 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:31W *2额定电压(V)*2:40V
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外壳：TO-270AA
封装：TO-270-2
料号：JTG9-97
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PD57002-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 65V 960MHZ PWRSO10
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:29dBm 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:31W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:250mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：250mA
4输出功率(W)4：2W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装：10-POWERSO
料号：JTG9-98
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD57002-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57002-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57002-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57002-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF1535NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:29dBm 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:31W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:250mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：13.5dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：6A
4输出功率(W)4：35W
2额定电压(V)2：40V
外壳：TO-272AA
封装：TO-272-6
料号：JTG9-99
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1535NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1535NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1535NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1535NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD20010-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:10mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:3V 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:13mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:12dBm *2额定电压(V)*2:4.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:15V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:4dB 电流 - 测试:4mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:305mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:80mA *4输出功率(W)*4:22dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:280mA *4输出功率(W)*4:29dBm *2额定电压(V)*2:29dBm 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:31W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:250mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：11dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-100
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD20010-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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