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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BLF6G10LS-200RN:11
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：871.5MHz ~ 891.5MHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：49A
4输出功率(W)4：40W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502B
封装：SOT502B
料号：JTG9-121
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF6G10LS-200RN:11' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G10LS-200RN:11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF881,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：21dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：140W
2额定电压(V)2：104V
外壳：SOT467C
封装：SOT467C
料号：JTG9-122
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF881,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF881,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF881,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF881,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD2933W
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC TRANS RF HF/VHF/UHF
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：30MHz
6增益(dB)6：23.5dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：40A
4输出功率(W)4：300W
2额定电压(V)2：125V
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG9-123
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD2933W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2933W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2933W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD2933W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF2425M8L140U
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.45GHz
6增益(dB)6：19dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：140W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502A
封装：SOT502A
料号：JTG9-124
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF2425M8L140U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF2425M8L140U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF2425M8L140U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： SD4933MR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：30MHz
6增益(dB)6：24dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：40A
4输出功率(W)4：300W
2额定电压(V)2：200V
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG9-125
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD4933MR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD4933MR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD4933MR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD4933MR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF574XR,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：225MHz
6增益(dB)6：23.5dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：600W
2额定电压(V)2：110V
外壳：SOT-1214A
封装：SOT1214A
料号：JTG9-126
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF574XR,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF574XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF574XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF574XR,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SD56120
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 65V 860MHZ M246
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
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外壳：M246
封装：M246
料号：JTG9-127
包装：
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合作现货:0
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型号： MRFE6VP5600HR5
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：230MHz
6增益(dB)6：25dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：600W
2额定电压(V)2：130V
外壳：NI-1230
封装：NI-1230
料号：JTG9-128
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFE6VP5600HR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VP5600HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VP5600HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6VP5600HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF6G13L-250P,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.3GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：100V
外壳：SOT-1121A
封装：CDFM4
料号：JTG9-129
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF6G13L-250P,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G13L-250P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G13L-250P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G13L-250P,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CGHV22200F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440162
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：1.8GHz ~ 2.2GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：12A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：125V
外壳：440162
封装：440162
料号：JTG9-130
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV22200F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV22200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV22200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV22200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BLF888DU
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：21dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：104V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-131
包装：
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合作现货:0
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型号： BF2040 E6814
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：800MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：40mA
4输出功率(W)4：-
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外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：PG-SOT143-4
料号：JTG9-132
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF2040 E6814' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3SK294(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： FET RF 12.5V 500MHZ USQ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：26dB
7测试电压(V)7：6V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：12.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：USQ
料号：JTG9-133
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3SK294(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK294(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK294(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK294(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 3SK291(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N-CH SMQ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V
1晶体管类型1：N 通道双门
5频率(Hz)5：800MHz
6增益(dB)6：22.5dB
7测试电压(V)7：6V
3额定电流(A)3：30mA
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2额定电压(V)2：12.5V
外壳：SC-61AA
封装：SMQ
料号：JTG9-134
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3SK291(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK291(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK291(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3SK291(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 2SK3557-7-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：1kHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：50mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：15V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG9-135
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3557-7-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3557-7-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3557-7-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3557-7-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SK209-Y(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N-CH S-MINI FET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：1kHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG9-136
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK209-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ATF-531P8-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：300mA
4输出功率(W)4：24.5dBm
2额定电压(V)2：7V
外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
封装：8-LPCC（2X2）
料号：JTG9-137
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-531P8-BLK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-53189-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:21.7dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：900MHz
6增益(dB)6：17.2dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：300mA
4输出功率(W)4：21.7dBm
2额定电压(V)2：7V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG9-138
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-53189-BLK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-53189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-53189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-53189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD84006L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 25V 870MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:21.7dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：2W
2额定电压(V)2：25V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-139
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD84006L-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84006L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84006L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84006L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ATF-52189-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ SOT89
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:871.5MHz ~ 891.5MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:40W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:19dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:200V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:225MHz *6增益(dB)*6:23.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:230MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:600W *2额定电压(V)*2:130V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.3GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.8GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:8V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:26dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:22.5dB *7测试电压(V)*7:6V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:12.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:15V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:21.7dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:4.5V *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:27dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：4.5V
3额定电流(A)3：500mA
4输出功率(W)4：27dBm
2额定电压(V)2：7V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG9-140
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-52189-BLK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-52189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-52189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-52189-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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