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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MPF102
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET AMP N-CH RF SS TO-92
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：20mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-1521
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPF102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPF102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： NE25139-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 13V 900MHZ SOT-143
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：MESFET 双栅极
5频率(Hz)5：900MHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：40mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：13V
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG9-1522
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE25139-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE34018-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 2GHZ SOT-343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：120mA
4输出功率(W)4：12dBm
2额定电压(V)2：4V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-1523
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE34018-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE25139-T1-U73
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 13V 900MHZ SOT-143
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：MESFET 双栅极
5频率(Hz)5：900MHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：40mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：13V
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG9-1524
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE25139-T1-U73' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1-U73' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1-U73' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE25139-T1-U73' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBF4416LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG9-1525
包装： 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBF4416LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4416LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4416LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBF4416LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBFJ309LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET SS N-CHAN 25V SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG9-1526
包装： 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ309LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ309LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ309LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ309LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBFJ310LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：-
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG9-1527
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ310LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ310LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ310LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： J310
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 60MA TO92
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
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6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：60mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-1528
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J310' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-34143-TR1
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm
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外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-1529
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm
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5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16.6dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：120mA
4输出功率(W)4：20.4dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-1530
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-55143-TR1
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：17.7dB
7测试电压(V)7：2.7V
3额定电流(A)3：100mA
4输出功率(W)4：14.4dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-1531
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-55143-TR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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当天可发货
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型号： MRF377HR5
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 65V 860MHZ
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：18.2dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：45W
2额定电压(V)2：65V
外壳：NI-860C3
封装：NI-860C3
料号：JTG9-1532
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF377HR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF377HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE34018-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 2GHZ SOT-343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：120mA
4输出功率(W)4：12dBm
2额定电压(V)2：4V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-1533
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE34018-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE34018-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BF1211R,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道双门
5频率(Hz)5：400MHz
6增益(dB)6：29dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：6V
外壳：SOT-143R
封装：SOT-143R
料号：JTG9-1534
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF1211R,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1211R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1211R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF1211R,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXZ210N50L
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：175MHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：10A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：500V
外壳：6-SMD 模块
封装：DE275
料号：JTG9-1535
包装：
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合作现货:0
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型号： 2N5486G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 30MA TO92
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
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6增益(dB)6：-
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3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-1536
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5486G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： J310G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 60MA TO92
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：100MHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：60mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-1537
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'J310G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'J310G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLA1011S-200,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:200W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.03GHz ~ 1.09GHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：36V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：75V
外壳：SOT-502B
封装：SOT502B
料号：JTG9-1538
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA1011S-200,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BLF1043,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:26V *3额定电流(A)*3:2.2A 噪声系数:- 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:10W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz
6增益(dB)6：18.5dB
7测试电压(V)7：26V
3额定电流(A)3：2.2A
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-538A
封装：2-CDIP
料号：JTG9-1539
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF1043,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF1043,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF1043,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF1043,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BLF346,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:MESFET 双栅极 *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.1dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm 系列:- 制造商:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:18.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:12dBm 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道双门 *5频率(Hz)*5:400MHz *6增益(dB)*6:29dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:0.9dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:175MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:36V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:26V *3额定电流(A)*3:2.2A 噪声系数:- 电流 - 测试:85mA *4输出功率(W)*4:10W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:224.25MHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:3A *4输出功率(W)*4:30W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：224.25MHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：13A
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-119A
封装：CDFM6
料号：JTG9-1540
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF346,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF346,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF346,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF346,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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